BSC105N10LSFGATMA1

BSC105N10LSFGATMA1 - Infineon Technologies

номер части
BSC105N10LSFGATMA1
производитель
Infineon Technologies
Краткое описание
MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
BSC105N10LSFGATMA1 Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
-
категория
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
18779 pcs
Справочная цена
USD 1.4086/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку BSC105N10LSFGATMA1

BSC105N10LSFGATMA1 Подробное описание

номер части BSC105N10LSFGATMA1
Статус детали Active
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 100V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 11.4A (Ta), 90A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 110µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 53nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 3900pF @ 50V
Vgs (Макс.) ±20V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 156W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 10.5 mOhm @ 50A, 10V
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика PG-TDSON-8
Упаковка / чехол 8-PowerTDFN
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ BSC105N10LSFGATMA1