BSC097N06NSTATMA1 - Infineon Technologies

номер части	BSC097N06NSTATMA1
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	60V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	13A (Ta), 48A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	9.7 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.3V @ 14µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	15nC @ 10V
Vgs (Макс.)	±20V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	1075pF @ 30V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	3W (Ta), 43W (Tc)
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-TDSON-8
Упаковка / чехол	8-PowerTDFN
Вес	-
Страна происхождения	-

Образ	номер части	Производители	Описание	Посмотреть
	BSC097N06NSATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 60V 46A TDSON-8	подробности
	BSC097N06NSTATMA1	Infineon Technologies	DIFFERENTIATED MOSFETS	подробности