BSC060N10NS3GATMA1

BSC060N10NS3GATMA1 - Infineon Technologies

номер части
BSC060N10NS3GATMA1
производитель
Infineon Technologies
Краткое описание
MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
BSC060N10NS3GATMA1 Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
-
категория
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
187500 pcs
Справочная цена
USD 1.0296/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку BSC060N10NS3GATMA1

BSC060N10NS3GATMA1 Подробное описание

номер части BSC060N10NS3GATMA1
Статус детали Active
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 100V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 14.9A (Ta), 90A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 90µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 68nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 4900pF @ 50V
Vgs (Макс.) ±20V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 125W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 6 mOhm @ 50A, 10V
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика PG-TDSON-8
Упаковка / чехол 8-PowerTDFN
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ BSC060N10NS3GATMA1