BSC026NE2LS5ATMA1 - Infineon Technologies

номер части	BSC026NE2LS5ATMA1
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	25V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	24A (Ta), 82A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	16nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	1100pF @ 12V
Vgs (Макс.)	±16V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	2.5W (Ta), 29W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	2.6 mOhm @ 30A, 10V
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-TDSON-8
Упаковка / чехол	8-PowerTDFN
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
BSC026N02KS G	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 20V 100A TDSON-8	подробности
BSC026N02KSG	INFINEON	BSC026N02KSG INFINEON TDSON-.. New Original Stocks	подробности
BSC026N02KSGAUMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 20V 100A TDSON-8	подробности
BSC026N04LSATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 40V 23A 8TDSON	подробности
BSC026N08NS5ATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 80V 23A 8TDSON	подробности
BSC026NE2LS5ATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 25V 24A 8TDSON	подробности