BSC010N04LSIATMA1 - Infineon Technologies

номер части	BSC010N04LSIATMA1
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	40V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	37A (Ta), 100A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	87nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	6200pF @ 20V
Vgs (Макс.)	±20V
Функция FET	Schottky Diode (Body)
Рассеиваемая мощность (макс.)	2.5W (Ta), 139W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	1.05 mOhm @ 50A, 10V
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-TDSON-8 FL
Упаковка / чехол	8-PowerTDFN
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
BSC010N04LS6ATMA1	Infineon Technologies	TRENCH 40V	подробности
BSC010N04LSATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8	подробности
BSC010N04LSCATMA1	Infineon Technologies	DIFFERENTIATED MOSFETS	подробности
BSC010N04LSIATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 40V 37A 8TDSON	подробности
BSC010N04LSTATMA1	Infineon Technologies	DIFFERENTIATED MOSFETS	подробности
BSC010NE2LS	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 25V 39A TDSON-8	подробности
BSC010NE2LSATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 25V 39A TDSON-8	подробности
BSC010NE2LSI	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 25V 38A TDSON-8	подробности
BSC010NE2LSIATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 25V 38A TDSON-8	подробности