BFR182E6327HTSA1 - Infineon Technologies

номер части	BFR182E6327HTSA1
Статус детали	Active
Тип транзистора	NPN
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)	12V
Частота - переход	8GHz
Шум (дБ Тип @ f)	0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Усиление	12dB ~ 18dB
Мощность - макс.	250mW
Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce	70 @ 10mA, 8V
Ток - коллектор (Ic) (макс.)	35mA
Рабочая Температура	150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка / чехол	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Пакет устройств поставщика	SOT-23-3
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
BFR182	INFINEON	BFR182 INFINEON SOT-23 New Original Stocks	подробности
BFR182E6327HTSA1	Infineon Technologies	RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3	подробности
BFR182T	VISHAY	Silicon NPN Planar RF Transistor	подробности
BFR182TF	VISHAY	Silicon NPN Planar RF Transistor	подробности
BFR182TW	VISHAY	Silicon NPN Planar RF Transistor	подробности
BFR182T_08	VISHAY	Silicon NPN Planar RF Transistor	подробности
BFR182WH6327XTSA1	Infineon Technologies	TRANS RF NPN 12V 35MA SOT323	подробности