• русский
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
Главная › Категории продукта › Дискретный полупроводник › Диоды - РФ › BAR 65-02L E6327
BAR 65-02L E6327

BAR 65-02L E6327 - Infineon Technologies

номер части
BAR 65-02L E6327
производитель
Infineon Technologies
Краткое описание
DIODE RF SGL 30V 100MA TSLP-2
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
BAR 65-02L E6327 Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
-
категория
Диоды - РФ
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
3942 pcs
Справочная цена
USD 0/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку BAR 65-02L E6327

BAR 65-02L E6327 Подробное описание

номер части BAR 65-02L E6327
Статус детали Obsolete
Тип диода PIN - Single
Напряжение - Реверс пика (макс.) 30V
Текущий - Макс. 100mA
Емкость @ Vr, F 0.8pF @ 3V, 1MHz
Сопротивление @ Если, F 900 mOhm @ 10mA, 100MHz
Рассеиваемая мощность (макс.) 250mW
Рабочая Температура 150°C (TJ)
Упаковка / чехол SOD-882
Пакет устройств поставщика PG-TSLP-2
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ BAR 65-02L E6327

Образ номер части Производители Описание Посмотреть
BAR 65-02L E6327 BAR 65-02L E6327 Infineon Technologies DIODE RF SGL 30V 100MA TSLP-2 подробности
BAR 65-02V E6327 BAR 65-02V E6327 Infineon Technologies DIODE RF SGL 30V 100MA SC-79 подробности
BAR 65-02V H6327 BAR 65-02V H6327 Infineon Technologies DIODE RF PIN 30V 100MA SC79 подробности