• русский
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
Главная › Категории продукта › Дискретный полупроводник › Транзисторы - IGBT - Модули › 6MS24017P43W39873NOSA1
6MS24017P43W39873NOSA1

6MS24017P43W39873NOSA1 - Infineon Technologies

номер части
6MS24017P43W39873NOSA1
производитель
Infineon Technologies
Краткое описание
MODULE IGBT STACK A-MS3-1
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
6MS24017P43W39873NOSA1 Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
-
категория
Транзисторы - IGBT - Модули
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
5 pcs
Справочная цена
USD 23970.41/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку 6MS24017P43W39873NOSA1

6MS24017P43W39873NOSA1 Подробное описание

номер части 6MS24017P43W39873NOSA1
Статус детали Active
Тип IGBT -
конфигурация Three Phase Inverter
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 1700V
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 1100A
Мощность - макс. 14500W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic -
Ток - отсечка коллектора (макс.) -
Входная емкость (Cies) @ Vce -
вход Standard
Термистор NTC Yes
Рабочая Температура -25°C ~ 55°C
Тип монтажа Chassis Mount
Упаковка / чехол Module
Пакет устройств поставщика Module
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ 6MS24017P43W39873NOSA1

Образ номер части Производители Описание Посмотреть
6MS24017E33W32859NOSA1 6MS24017E33W32859NOSA1 Infineon Technologies MODULE IGBT STACK A-MS3-1 подробности
6MS24017E33W32860NOSA1 6MS24017E33W32860NOSA1 Infineon Technologies MODULE IGBT STACK A-MS3-1 подробности
6MS24017P43W39872NOSA1 6MS24017P43W39872NOSA1 Infineon Technologies MODULE IGBT STACK A-MS3-1 подробности
6MS24017P43W39873NOSA1 6MS24017P43W39873NOSA1 Infineon Technologies MODULE IGBT STACK A-MS3-1 подробности
6MS24017P43W41646NOSA1 6MS24017P43W41646NOSA1 Infineon Technologies MODULE IGBT STACK A-MS3-1 подробности