GD5F4GQ4RCYIGY - GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

номер части	GD5F4GQ4RCYIGY
Статус детали	Active
Тип памяти	Non-Volatile
Формат памяти	FLASH
Технологии	FLASH - NAND
Размер памяти	4Gb (512M x 8)
Частота часов	120MHz
Время цикла записи - слово, страница	-
Время доступа	-
Интерфейс памяти	SPI - Quad I/O
Напряжение - Поставка	1.7V ~ 2V
Рабочая Температура	-40°C ~ 85°C (TA)
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка / чехол	8-WDFN Exposed Pad
Пакет устройств поставщика	8-WSON (6x8)
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
GD5F4GQ4RBYIGR	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	SPI NAND FLASH	подробности
GD5F4GQ4RBYIGY	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	SPI NAND FLASH	подробности
GD5F4GQ4RCYIGR	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	SPI NAND FLASH	подробности
GD5F4GQ4RCYIGY	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	SPI NAND FLASH	подробности
GD5F4GQ4UBYIGR	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	SPI NAND FLASH	подробности
GD5F4GQ4UBYIGY	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	SPI NAND FLASH	подробности
GD5F4GQ4UCYIGR	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	SPI NAND FLASH	подробности
GD5F4GQ4UCYIGY	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	SPI NAND FLASH	подробности