GD5F2GQ4RF9IGR - GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

номер части	GD5F2GQ4RF9IGR
Статус детали	Active
Тип памяти	Non-Volatile
Формат памяти	FLASH
Технологии	FLASH - NAND
Размер памяти	2Gb (256M x 8)
Частота часов	120MHz
Время цикла записи - слово, страница	700µs
Время доступа	-
Интерфейс памяти	SPI - Quad I/O
Напряжение - Поставка	1.7V ~ 2V
Рабочая Температура	-40°C ~ 85°C (TA)
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка / чехол	8-WLGA Exposed Pad
Пакет устройств поставщика	8-LGA (6x8)
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
GD5F2GQ4RF9IGR	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	SPI NAND FLASH	подробности
GD5F2GQ4UEYIGR	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	SPI NAND FLASH	подробности
GD5F2GQ4UEYIGY	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	SPI NAND FLASH	подробности
GD5F2GQ4UF9IGR	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	SPI NAND FLASH	подробности
GD5F2GQ4UFYIGY	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	SPI NAND FLASH	подробности