GD25VE40CSIGR - GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

номер части	GD25VE40CSIGR
Статус детали	Active
Тип памяти	Non-Volatile
Формат памяти	FLASH
Технологии	FLASH - NOR
Размер памяти	4Mb (512K x 8)
Частота часов	104MHz
Время цикла записи - слово, страница	-
Время доступа	-
Интерфейс памяти	SPI - Quad I/O
Напряжение - Поставка	2.1V ~ 3.6V
Рабочая Температура	-40°C ~ 85°C (TA)
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка / чехол	8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Пакет устройств поставщика	8-SOP
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
GD25VE16CEIGR	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	NOR FLASH	подробности
GD25VE16CSIG	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	NOR FLASH	подробности
GD25VE16CSIGR	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	NOR FLASH	подробности
GD25VE16CTIG	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	NOR FLASH	подробности
GD25VE16CTIGR	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	NOR FLASH	подробности
GD25VE20CEIGR	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	NOR FLASH	подробности
GD25VE20CSIG	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	NOR FLASH	подробности
GD25VE20CSIGR	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	NOR FLASH	подробности
GD25VE20CTIG	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	NOR FLASH	подробности
GD25VE20CTIGR	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	NOR FLASH	подробности