GD25Q127CYIGR - GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

номер части	GD25Q127CYIGR
Статус детали	Active
Тип памяти	Non-Volatile
Формат памяти	FLASH
Технологии	FLASH - NOR
Размер памяти	128Mb (16M x 8)
Частота часов	104MHz
Время цикла записи - слово, страница	12µs, 2.4ms
Время доступа	-
Интерфейс памяти	SPI - Quad I/O
Напряжение - Поставка	2.7V ~ 3.6V
Рабочая Температура	-40°C ~ 85°C (TA)
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка / чехол	8-WDFN Exposed Pad
Пакет устройств поставщика	8-WSON (6x8)
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
GD25Q127CBIGY	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	NOR FLASH	подробности
GD25Q127CFIG	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	NOR FLASH	подробности
GD25Q127CFIGR	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	NOR FLASH	подробности
GD25Q127CSIG	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	NOR FLASH	подробности
GD25Q127CSIGR	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	NOR FLASH	подробности
GD25Q127CSJG	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	NOR FLASH	подробности
GD25Q127CSJGR	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	NOR FLASH	подробности
GD25Q127CWIGR	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	NOR FLASH	подробности
GD25Q127CYIGR	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	NOR FLASH	подробности
GD25Q127CZIGY	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	NOR FLASH	подробности