GD25LD10CEIGR - GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

номер части	GD25LD10CEIGR
Статус детали	Active
Тип памяти	Non-Volatile
Формат памяти	FLASH
Технологии	FLASH - NOR
Размер памяти	1Mb (128K x 8)
Частота часов	50MHz
Время цикла записи - слово, страница	55µs, 6ms
Время доступа	-
Интерфейс памяти	SPI - Dual I/O
Напряжение - Поставка	1.65V ~ 2V
Рабочая Температура	-40°C ~ 85°C (TA)
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка / чехол	8-XFDFN Exposed Pad
Пакет устройств поставщика	8-USON (2x3)
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
GD25LD05CEIGR	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	NOR FLASH	подробности
GD25LD05CTIGR	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	NOR FLASH	подробности
GD25LD10CEIGR	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	NOR FLASH	подробности
GD25LD10CTIGR	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	NOR FLASH	подробности
GD25LD20CEIGR	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	NOR FLASH	подробности
GD25LD20COIGR	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	NOR FLASH	подробности
GD25LD20CTIGR	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	NOR FLASH	подробности
GD25LD20CUIGR	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	NOR FLASH	подробности
GD25LD40CEIGR	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	NOR FLASH	подробности
GD25LD40COIGR	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	NOR FLASH	подробности