MURT20010 - GeneSiC Semiconductor

номер части	MURT20010
Статус детали	Active
Конфигурация диода	1 Pair Common Cathode
Тип диода	Standard
Напряжение - Реверс постоянного тока (Vr) (макс.)	100V
Текущий - средний отрегулированный (Io) (на диод)	200A (DC)
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если	1.3V @ 100A
скорость	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Время обратного восстановления (trr)	75ns
Текущий - обратный утечек @ Vr	25µA @ 50V
Рабочая температура - Соединение	-
Тип монтажа	Chassis Mount
Упаковка / чехол	Three Tower
Пакет устройств поставщика	Three Tower
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
MUR10005	MCC	100 Amp Supre Fast Recovery Rectifier 50 to 600 Volts	подробности
MUR10005CT	GeneSiC Semiconductor	DIODE MODULE 50V 100A 2TOWER	подробности
MUR10005CTR	GeneSiC Semiconductor	DIODE MODULE 50V 100A 2TOWER	подробности
MUR10010	MCC	100 Amp Supre Fast Recovery Rectifier 50 to 600 Volts	подробности
MUR10010CT	GeneSiC Semiconductor	DIODE MODULE 100V 100A 2TOWER	подробности
MUR10010CTR	GeneSiC Semiconductor	DIODE MODULE 100V 100A 2TOWER	подробности
MUR10020	MCC	100 Amp Supre Fast Recovery Rectifier 50 to 600 Volts	подробности
MUR10020CT	GeneSiC Semiconductor	DIODE MODULE 200V 100A 2TOWER	подробности
MUR10020CTR	GeneSiC Semiconductor	DIODE MODULE 200V 100A 2TOWER	подробности
MUR10040	MCC	100 Amp Supre Fast Recovery Rectifier 50 to 600 Volts	подробности