| номер части | MSRTA400100(A) |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Конфигурация диода | 1 Pair Common Cathode |
| Тип диода | Standard |
| Напряжение - Реверс постоянного тока (Vr) (макс.) | 1000V |
| Текущий - средний отрегулированный (Io) (на диод) | 400A (DC) |
| Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если | 1.2V @ 400A |
| скорость | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
| Текущий - обратный утечек @ Vr | 25µA @ 600V |
| Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 150°C |
| Тип монтажа | Chassis Mount |
| Упаковка / чехол | Three Tower |
| Пакет устройств поставщика | Three Tower |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
|
MSRTA200100(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN 1KV 200A 3 TOWER | подробности |
|
MSRTA200120(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER | подробности |
|
MSRTA200140(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN 1.4KV 200A 3 TOWER | подробности |
|
MSRTA200160(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN 1.6KV 200A 3 TOWER | подробности |
|
MSRTA20060(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER | подробности |
|
MSRTA20080(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 800V 200A 3 TOWER | подробности |
|
MSRTA300100(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 1KV 300A 3TOWER | подробности |
|
MSRTA300120(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 1.2KV 300A 3TOWER | подробности |
|
MSRTA300140(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 1.4KV 300A 3TOWER | подробности |
|
MSRTA300160(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 1.6KV 300A 3TOWER | подробности |
