| номер части | MSRT10060(A)D |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Конфигурация диода | 1 Pair Series Connection |
| Тип диода | Standard |
| Напряжение - Реверс постоянного тока (Vr) (макс.) | 600V |
| Текущий - средний отрегулированный (Io) (на диод) | 100A |
| Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если | 1.1V @ 100A |
| скорость | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
| Текущий - обратный утечек @ Vr | 10µA @ 600V |
| Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 150°C |
| Тип монтажа | Chassis Mount |
| Упаковка / чехол | Three Tower |
| Пакет устройств поставщика | Three Tower |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
|
MSRT100100(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN 1KV 100A 3 TOWER | подробности |
|
MSRT100120(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER | подробности |
|
MSRT100140(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN 1.4KV 100A 3 TOWER | подробности |
|
MSRT100160(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN 1.6KV 100A 3 TOWER | подробности |
|
MSRT10060(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER | подробности |
|
MSRT10080(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 800V 100A 3 TOWER | подробности |
|
MSRT150100(A) | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 1KV 150A 3TOWER | подробности |
|
MSRT150100(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN 1KV 150A 3 TOWER | подробности |
|
MSRT150120(A) | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 1.2KV 150A 3TOWER | подробности |
|
MSRT150120(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN 1.2KV 150A 3 TOWER | подробности |
