MBRT200150R - GeneSiC Semiconductor

номер части	MBRT200150R
Статус детали	Active
Конфигурация диода	1 Pair Common Anode
Тип диода	Schottky
Напряжение - Реверс постоянного тока (Vr) (макс.)	150V
Текущий - средний отрегулированный (Io) (на диод)	100A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если	880mV @ 100A
скорость	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Время обратного восстановления (trr)	-
Текущий - обратный утечек @ Vr	1mA @ 150V
Рабочая температура - Соединение	-55°C ~ 150°C
Тип монтажа	Chassis Mount
Упаковка / чехол	Three Tower
Пакет устройств поставщика	Three Tower
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
MBRT120100	GeneSiC Semiconductor	DIODE MODULE 100V 120A 3TOWER	подробности
MBRT120100R	GeneSiC Semiconductor	DIODE MODULE 100V 120A 3TOWER	подробности
MBRT120150	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 150V 60A 3 TOWER	подробности
MBRT120150R	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 150V 60A 3 TOWER	подробности
MBRT12020	GeneSiC Semiconductor	DIODE MODULE 20V 120A 3TOWER	подробности
MBRT120200	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 200V 60A 3 TOWER	подробности
MBRT120200R	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 200V 60A 3 TOWER	подробности
MBRT12020R	GeneSiC Semiconductor	DIODE MODULE 20V 120A 3TOWER	подробности
MBRT12030	GeneSiC Semiconductor	DIODE MODULE 30V 120A 3TOWER	подробности
MBRT12030R	GeneSiC Semiconductor	DIODE MODULE 30V 120A 3TOWER	подробности