MBRH200150R - GeneSiC Semiconductor

номер части	MBRH200150R
Статус детали	Active
Тип диода	Schottky, Reverse Polarity
Напряжение - Реверс постоянного тока (Vr) (макс.)	200V
Текущий - средний отрегулированный (Io)	200A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если	920mV @ 200A
скорость	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Время обратного восстановления (trr)	-
Текущий - обратный утечек @ Vr	1mA @ 200V
Емкость @ Vr, F	-
Тип монтажа	Chassis Mount
Упаковка / чехол	D-67
Пакет устройств поставщика	D-67
Рабочая температура - Соединение	-55°C ~ 150°C
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
MBRH120100	GeneSiC Semiconductor	DIODE MODULE 100V 120A D-67	подробности
MBRH120100R	GeneSiC Semiconductor	DIODE MODULE 100V 120A D-67	подробности
MBRH120150	GeneSiC Semiconductor	DIODE MODULE 150V 120A D-67	подробности
MBRH120150R	GeneSiC Semiconductor	DIODE MODULE 150V 120A D-67	подробности
MBRH12020	GeneSiC Semiconductor	DIODE MODULE 20V 120A D-67	подробности
MBRH120200	GeneSiC Semiconductor	DIODE MODULE 200V 120A D-67	подробности
MBRH120200R	GeneSiC Semiconductor	DIODE MODULE 200V 120A D-67	подробности
MBRH12020R	GeneSiC Semiconductor	DIODE MODULE 20V 120A D-67	подробности
MBRH12030	GeneSiC Semiconductor	DIODE MODULE 30V 120A D-67	подробности
MBRH12030R	GeneSiC Semiconductor	DIODE MODULE 30V 120A D-67	подробности