MBR60060CTR - GeneSiC Semiconductor

номер части	MBR60060CTR
Статус детали	Active
Конфигурация диода	1 Pair Common Anode
Тип диода	Schottky
Напряжение - Реверс постоянного тока (Vr) (макс.)	60V
Текущий - средний отрегулированный (Io) (на диод)	300A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если	800mV @ 300A
скорость	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Время обратного восстановления (trr)	-
Текущий - обратный утечек @ Vr	1mA @ 20V
Рабочая температура - Соединение	-55°C ~ 150°C
Тип монтажа	Chassis Mount
Упаковка / чехол	Twin Tower
Пакет устройств поставщика	Twin Tower
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
MBR600100CT	GeneSiC Semiconductor	DIODE MODULE 100V 300A 2TOWER	подробности
MBR600100CTR	GeneSiC Semiconductor	DIODE MODULE 100V 300A 2TOWER	подробности
MBR600150CT	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 150V 300A 2 TOWER	подробности
MBR600150CTR	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 150V 300A 2 TOWER	подробности
MBR600200CT	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER	подробности
MBR600200CTR	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER	подробности
MBR60020CT	GeneSiC Semiconductor	DIODE MODULE 20V 300A 2TOWER	подробности
MBR60020CTL	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 20V 300A 2 TOWER	подробности
MBR60020CTR	GeneSiC Semiconductor	DIODE MODULE 20V 300A 2TOWER	подробности
MBR60020CTRL	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 20V 300A 2 TOWER	подробности