| номер части | MBR60030CTRL |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Конфигурация диода | 1 Pair Common Anode |
| Тип диода | Schottky |
| Напряжение - Реверс постоянного тока (Vr) (макс.) | 30V |
| Текущий - средний отрегулированный (Io) (на диод) | 300A |
| Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если | 580mV @ 300A |
| скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
| Текущий - обратный утечек @ Vr | 3mA @ 30V |
| Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 150°C |
| Тип монтажа | Chassis Mount |
| Упаковка / чехол | Twin Tower |
| Пакет устройств поставщика | Twin Tower |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
|
MBR600100CT | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 100V 300A 2TOWER | подробности |
|
MBR600100CTR | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 100V 300A 2TOWER | подробности |
|
MBR600150CT | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 150V 300A 2 TOWER | подробности |
|
MBR600150CTR | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 150V 300A 2 TOWER | подробности |
|
MBR600200CT | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER | подробности |
|
MBR600200CTR | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER | подробности |
|
MBR60020CT | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 20V 300A 2TOWER | подробности |
|
MBR60020CTL | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 20V 300A 2 TOWER | подробности |
|
MBR60020CTR | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 20V 300A 2TOWER | подробности |
|
MBR60020CTRL | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 20V 300A 2 TOWER | подробности |
