MBR40035CT - GeneSiC Semiconductor

номер части	MBR40035CT
Статус детали	Active
Конфигурация диода	1 Pair Common Cathode
Тип диода	Schottky
Напряжение - Реверс постоянного тока (Vr) (макс.)	35V
Текущий - средний отрегулированный (Io) (на диод)	400A (DC)
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если	700mV @ 200A
скорость	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Время обратного восстановления (trr)	-
Текущий - обратный утечек @ Vr	1mA @ 35V
Рабочая температура - Соединение	-55°C ~ 150°C
Тип монтажа	Chassis Mount
Упаковка / чехол	Twin Tower
Пакет устройств поставщика	Twin Tower
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
MBR400100	MCC	400 Amp Rectifier 20 to 100 Volts Schottky Barrier	подробности
MBR400100CT	GeneSiC Semiconductor	DIODE MODULE 100V 400A 2TOWER	подробности
MBR400100CTR	GeneSiC Semiconductor	DIODE MODULE 100V 400A 2TOWER	подробности
MBR400150CT	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 150V 200A 2 TOWER	подробности
MBR400150CTR	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 150V 200A 2 TOWER	подробности
MBR400200CT	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 200V 200A 2 TOWER	подробности
MBR400200CTR	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 200V 200A 2 TOWER	подробности
MBR40020CT	GeneSiC Semiconductor	DIODE MODULE 20V 400A 2TOWER	подробности
MBR40020CTL	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 20V 200A 2 TOWER	подробности
MBR40020CTR	GeneSiC Semiconductor	DIODE MODULE 20V 400A 2TOWER	подробности