MBR30035CTR - GeneSiC Semiconductor

номер части	MBR30035CTR
Статус детали	Active
Конфигурация диода	1 Pair Common Anode
Тип диода	Schottky, Reverse Polarity
Напряжение - Реверс постоянного тока (Vr) (макс.)	35V
Текущий - средний отрегулированный (Io) (на диод)	300A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если	700mV @ 150A
скорость	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Время обратного восстановления (trr)	-
Текущий - обратный утечек @ Vr	1mA @ 35V
Рабочая температура - Соединение	-55°C ~ 150°C
Тип монтажа	Chassis Mount
Упаковка / чехол	Twin Tower
Пакет устройств поставщика	Twin Tower
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
MBR300100CT	GeneSiC Semiconductor	DIODE MODULE 100V 300A 2TOWER	подробности
MBR300100CTR	GeneSiC Semiconductor	DIODE MODULE 100V 300A 2TOWER	подробности
MBR300150CT	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 150V 150A 2 TOWER	подробности
MBR300150CTR	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 150V 150A 2 TOWER	подробности
MBR30020	MCC	300 Amp Rectifier 20 to 45V olts Schottky Barrier	подробности
MBR300200CT	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 200V 150A 2 TOWER	подробности
MBR300200CTR	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 200V 150A 2 TOWER	подробности
MBR30020CT	GeneSiC Semiconductor	DIODE MODULE 20V 300A 2TOWER	подробности
MBR30020CTL	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 20V 150A 2 TOWER	подробности
MBR30020CTR	GeneSiC Semiconductor	DIODE MODULE 20V 300A 2TOWER	подробности