GC50MPS12-247 - GeneSiC Semiconductor

номер части	GC50MPS12-247
Статус детали	Active
Тип диода	Silicon Carbide Schottky
Напряжение - Реверс постоянного тока (Vr) (макс.)	1200V
Текущий - средний отрегулированный (Io)	212A (DC)
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если	1.8V @ 50A
скорость	No Recovery Time > 500mA (Io)
Время обратного восстановления (trr)	0ns
Текущий - обратный утечек @ Vr	40µA @ 1200V
Емкость @ Vr, F	3263pF @ 1V, 1MHz
Тип монтажа	Through Hole
Упаковка / чехол	TO-247-2
Пакет устройств поставщика	TO-247-2
Рабочая температура - Соединение	-55°C ~ 175°C
Вес	-
Страна происхождения	-

Образ	номер части	Производители	Описание	Посмотреть
	GC50MPS06-247	GeneSiC Semiconductor	SIC DIODE 650V 50A TO-247-2	подробности
	GC50MPS12-247	GeneSiC Semiconductor	SIC DIODE 1200V 50A TO-247-2	подробности