GC08MPS12-252 - GeneSiC Semiconductor

номер части	GC08MPS12-252
Статус детали	Active
Тип диода	Silicon Carbide Schottky
Напряжение - Реверс постоянного тока (Vr) (макс.)	1200V
Текущий - средний отрегулированный (Io)	40A (DC)
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если	1.8V @ 8A
скорость	No Recovery Time > 500mA (Io)
Время обратного восстановления (trr)	0ns
Текущий - обратный утечек @ Vr	7µA @ 1200V
Емкость @ Vr, F	545pF @ 1V, 1MHz
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка / чехол	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Пакет устройств поставщика	TO-252-2
Рабочая температура - Соединение	-55°C ~ 175°C
Вес	-
Страна происхождения	-

Образ	номер части	Производители	Описание	Посмотреть
	GC08MPS12-220	GeneSiC Semiconductor	SIC DIODE 1200V 8A TO-220-2	подробности
	GC08MPS12-252	GeneSiC Semiconductor	SIC DIODE 1200V 8A TO-252-2	подробности