GAP05SLT80-220 - GeneSiC Semiconductor

номер части	GAP05SLT80-220
Статус детали	Active
Тип диода	Silicon Carbide Schottky
Напряжение - Реверс постоянного тока (Vr) (макс.)	8000V
Текущий - средний отрегулированный (Io)	50mA (DC)
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если	4.6V @ 50mA
скорость	No Recovery Time > 500mA (Io)
Время обратного восстановления (trr)	0ns
Текущий - обратный утечек @ Vr	3.8µA @ 8000V
Емкость @ Vr, F	25pF @ 1V, 1MHz
Тип монтажа	Through Hole
Упаковка / чехол	Axial
Пакет устройств поставщика	-
Рабочая температура - Соединение	-55°C ~ 175°C
Вес	-
Страна происхождения	-