GA35XCP12-247 - GeneSiC Semiconductor

номер части	GA35XCP12-247
Статус детали	Active
Тип IGBT	PT
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)	1200V
Ток - коллектор (Ic) (макс.)	-
Текущий - коллектор импульсный (Icm)	35A
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic	3V @ 15V, 35A
Мощность - макс.	-
Энергия переключения	2.66mJ (on), 4.35mJ (off)
Тип ввода	Standard
Ворота затвора	50nC
Td (вкл. / Выкл.) При 25 ° C	-
Условия тестирования	800V, 35A, 22 Ohm, 15V
Время обратного восстановления (trr)	36ns
Рабочая Температура	-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Упаковка / чехол	TO-247-3
Пакет устройств поставщика	TO-247AB
Вес	-
Страна происхождения	-