GA20SICP12-247 - GeneSiC Semiconductor

номер части	GA20SICP12-247
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	-
Технологии	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	1200V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	45A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	-
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	-
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	3091pF @ 800V
Vgs (Макс.)	-
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	282W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	50 mOhm @ 20A
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Пакет устройств поставщика	TO-247AB
Упаковка / чехол	TO-247-3
Вес	-
Страна происхождения	-

Образ	номер части	Производители	Описание	Посмотреть
	GA20SICP12-247	GeneSiC Semiconductor	TRANS SJT 1200V 45A TO247	подробности
	GA20SICP12-263	GeneSiC Semiconductor	SIC CO-PACK SJT/RECT 20A 1.2KV	подробности