| номер части | GA01PNS80-220 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип диода | PIN - Single |
| Напряжение - Реверс пика (макс.) | 8000V |
| Текущий - Макс. | 2A |
| Емкость @ Vr, F | 4pF @ 1000V, 1MHz |
| Сопротивление @ Если, F | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | - |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Упаковка / чехол | Axial |
| Пакет устройств поставщика | - |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
GA01PNS150-201 | GeneSiC Semiconductor | SIC DIODE 15000V 1A DO-201 | подробности |
 |
GA01PNS150-220 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SILICON CARBIDE 15KV 1A | подробности |
|
GA01PNS80-220 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SILICON CARBIDE 8KV | подробности |
