русский
- English
- Deutschl
- Italia
- France
- España
- 대한민국
- 日本语
- русский

GA01PNS80-220 - GeneSiC Semiconductor

номер части: GA01PNS80-220
производитель: GeneSiC Semiconductor
Краткое описание: DIODE SILICON CARBIDE 8KV
Бессвинцовый статус / RoHS Статус: Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных: GA01PNS80-220 Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл: GA01PNS80-220.pdf
категория: Диоды - РФ
Срок поставки: 1 Day
Код даты: New
Количество на складе: 92 pcs
Справочная цена: USD 295.486/pcs
Наша цена: Отправить по электронной почте: [email protected]

GA01PNS80-220 Подробное описание

номер части	GA01PNS80-220
Статус детали	Active
Тип диода	PIN - Single
Напряжение - Реверс пика (макс.)	8000V
Текущий - Макс.	2A
Емкость @ Vr, F	4pF @ 1000V, 1MHz
Сопротивление @ Если, F	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	-
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Упаковка / чехол	Axial
Пакет устройств поставщика	-
Вес	-
Страна происхождения	-

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ GA01PNS80-220

Образ	номер части	Производители	Описание	Посмотреть
	GA01PNS150-201	GeneSiC Semiconductor	SIC DIODE 15000V 1A DO-201	подробности
	GA01PNS150-220	GeneSiC Semiconductor	DIODE SILICON CARBIDE 15KV 1A	подробности
	GA01PNS80-220	GeneSiC Semiconductor	DIODE SILICON CARBIDE 8KV	подробности