1N5832R - GeneSiC Semiconductor

номер части	1N5832R
Статус детали	Active
Тип диода	Schottky, Reverse Polarity
Напряжение - Реверс постоянного тока (Vr) (макс.)	20V
Текущий - средний отрегулированный (Io)	40A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если	520mV @ 40A
скорость	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Время обратного восстановления (trr)	-
Текущий - обратный утечек @ Vr	20mA @ 10V
Емкость @ Vr, F	-
Тип монтажа	Chassis, Stud Mount
Упаковка / чехол	DO-203AB, DO-5, Stud
Пакет устройств поставщика	DO-5
Рабочая температура - Соединение	-65°C ~ 150°C
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
1N500	EXSHINE	GOLD BONDED DIODES(Low forward voltage, low power consumption)	подробности
1N5008A	CENTRAL	ZENER DIODES	подробности
1N5009A-	CENTRAL	ZENER DIODES	подробности
1N501	EXSHINE	GOLD BONDED DIODES(Low forward voltage, low power consumption)	подробности
1N5010A	CENTRAL	ZENER DIODES	подробности
1N5011A	CENTRAL	ZENER DIODES	подробности
1N5012A	CENTRAL	ZENER DIODES	подробности
1N5013A	CENTRAL	ZENER DIODES	подробности
1N5014A	CENTRAL	ZENER DIODES	подробности
1N5015A	CENTRAL	ZENER DIODES	подробности