1N3890 - GeneSiC Semiconductor

номер части	1N3890
Статус детали	Active
Тип диода	Standard
Напряжение - Реверс постоянного тока (Vr) (макс.)	100V
Текущий - средний отрегулированный (Io)	12A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если	1.4V @ 12A
скорость	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Время обратного восстановления (trr)	200ns
Текущий - обратный утечек @ Vr	25µA @ 50V
Емкость @ Vr, F	-
Тип монтажа	Chassis, Stud Mount
Упаковка / чехол	DO-203AA, DO-4, Stud
Пакет устройств поставщика	DO-4
Рабочая температура - Соединение	-65°C ~ 150°C
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
1N-SS119	SEMTECH_ELEC	SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE	подробности
1N-SS254	SEMTECH	Packing Specification of 52mm Ammo Pack	подробности
1N102	EXSHINE	GOLD BONDED DIODES	подробности
1N103	EXSHINE	GOLD BONDED DIODES	подробности
1N104	EXSHINE	GOLD BONDED DIODES	подробности
1N107	EXSHINE	GOLD BONDED DIODES	подробности
1N108	EXSHINE	GOLD BONDED DIODES	подробности
1N1081	EXSHINE	1N1081	подробности
1N1081A	EXSHINE	1N1081	подробности
1N1082	EXSHINE	1N1081	подробности