MB85R256FPFCN-G-BNDE1 - Fujitsu Electronics America, Inc.

номер части	MB85R256FPFCN-G-BNDE1
Статус детали	Active
Тип памяти	Non-Volatile
Формат памяти	FRAM
Технологии	FRAM (Ferroelectric RAM)
Размер памяти	256Kb (32K x 8)
Частота часов	-
Время цикла записи - слово, страница	150ns
Время доступа	150ns
Интерфейс памяти	Parallel
Напряжение - Поставка	2.7 V ~ 3.6 V
Рабочая Температура	-40°C ~ 85°C (TA)
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка / чехол	28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)
Пакет устройств поставщика	28-TSOP I
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
MB85R256	FUJITSU	Memory FRAM(Ferroelectric Random Access Memory)	подробности
MB85R256FPF-G-BND-ERE1	Fujitsu Electronics America, Inc.	IC FRAM 256KBIT PAR 28SOP	подробности
MB85R256FPF-G-BNDE1	Fujitsu Electronics America, Inc.	IC FRAM 256KBIT 150NS 28SOP	подробности
MB85R256FPFCN-G-BNDE1	Fujitsu Electronics America, Inc.	IC FRAM 256KBIT 150NS 28TSOP	подробности
MB85R256FPNF-G-JNERE2	Fujitsu Electronics America, Inc.	IC FRAM 256KBIT 150NS 28SOP	подробности
MB85R256GPF-G-BND-ERE1	Fujitsu Electronics America, Inc.	IC FRAM 256KBIT PAR 28SOP	подробности
MB85R256GPF-G-BNDE1	Fujitsu Electronics America, Inc.	IC FRAM 256KBIT PAR 28SOP	подробности
MB85R256H	FUJITSU	Memory FRAM CMOS 256 K (32 K 】 8) Bit	подробности
MB85R256HPF	FUJITSU	Memory FRAM CMOS 256 K (32 K 】 8) Bit	подробности
MB85R256HPF-G-BND-ERAE1	FUJITSU	MB85R256HPF-G-BND-ERAE1 FUJITSU SOP28 New Original Stocks	подробности