FQD10N20LTM - Fairchild/ON Semiconductor

номер части	FQD10N20LTM
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	200V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	7.6A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	17nC @ 5V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	830pF @ 25V
Vgs (Макс.)	±20V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	2.5W (Ta), 51W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	360 mOhm @ 3.8A, 10V
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	TO-252, (D-Pak)
Упаковка / чехол	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
FQD10N10	FAI	FQD10N10 FAI TO-252 New Original Stocks	подробности
FQD10N20C-NL	FAIRC	FQD10N20C-NL FAIRC TO-252.. New Original Stocks	подробности
FQD10N20CTF	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK	подробности
FQD10N20CTM	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK	подробности
FQD10N20CTM_F080	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK	подробности
FQD10N20L	FAIRC	FQD10N20L FAIRC TO-252.. New Original Stocks	подробности
FQD10N20LTF	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK	подробности
FQD10N20LTM	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK	подробности
FQD10N20TF	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK	подробности
FQD10N20TM	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK	подробности