FQA10N80C_F109 - Fairchild/ON Semiconductor

номер части	FQA10N80C_F109
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	800V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	10A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	58nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	2800pF @ 25V
Vgs (Макс.)	±30V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	240W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	1.1 Ohm @ 5A, 10V
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Пакет устройств поставщика	TO-3P
Упаковка / чехол	TO-3P-3, SC-65-3
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
FQA10N60C	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 600V 10A TO-3P	подробности
FQA10N80	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 800V 9.8A TO-3P	подробности
FQA10N80C	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 800V 10A TO-3P	подробности
FQA10N80C-F109	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 800V 10A TO-3P	подробности
FQA10N80C_F109	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 800V 10A TO-3P	подробности
FQA10N80_F109	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 800V 9.8A TO-3P	подробности