| номер части | FDI038AN06A0 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 60V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 17A (Ta), 80A (Tc) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 6V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 124nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 6400pF @ 25V |
| Vgs (Макс.) | ±20V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 310W (Tc) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 3.8 mOhm @ 80A, 10V |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Пакет устройств поставщика | I2PAK (TO-262) |
| Упаковка / чехол | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
FDI025N06 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 265A TO-262 | подробности |
 |
FDI030N06 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK | подробности |
|
FDI038AN06A0 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 80A TO-262AB | подробности |
|
FDI040N06 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK | подробности |
|
FDI045N10A | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3 | подробности |
|
FDI045N10A-F102 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3 | подробности |
|
FDI045N10A_F102 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3 | подробности |
|
FDI047AN08A0 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 75V 80A TO-262AB | подробности |
