MBR5200VP-G1 - Diodes Incorporated

номер части	MBR5200VP-G1
Статус детали	Active
Тип диода	Schottky
Напряжение - Реверс постоянного тока (Vr) (макс.)	200V
Текущий - средний отрегулированный (Io)	5A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если	950mV @ 5A
скорость	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Время обратного восстановления (trr)	-
Текущий - обратный утечек @ Vr	500µA @ 200V
Емкость @ Vr, F	-
Тип монтажа	Through Hole
Упаковка / чехол	DO-201AA, DO-27, Axial
Пакет устройств поставщика	DO-27
Рабочая температура - Соединение	-65°C ~ 150°C
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
MBR50005	GOOD-ARK	SILICON BRIDGE RECTIFIERS	подробности
MBR5001	GOOD-ARK	SILICON BRIDGE RECTIFIERS	подробности
MBR500100CT	GeneSiC Semiconductor	DIODE MODULE 100V 500A 2TOWER	подробности
MBR500100CTR	GeneSiC Semiconductor	DIODE MODULE 100V 500A 2TOWER	подробности
MBR500150CT	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 150V 250A 2 TOWER	подробности
MBR500150CTR	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 150V 250A 2 TOWER	подробности
MBR5002	GOOD-ARK	SILICON BRIDGE RECTIFIERS	подробности
MBR500200CT	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 200V 250A 2 TOWER	подробности
MBR500200CTR	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 200V 250A 2 TOWER	подробности
MBR50020CT	GeneSiC Semiconductor	DIODE MODULE 20V 500A 2TOWER	подробности