FZT558TA - Diodes Incorporated

номер части	FZT558TA
Статус детали	Active
Тип транзистора	PNP
Ток - коллектор (Ic) (макс.)	200mA
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)	400V
Vce Saturation (Макс.) @ Ib, Ic	500mV @ 6mA, 50mA
Ток - отсечка коллектора (макс.)	100nA
Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce	100 @ 50mA, 10V
Мощность - макс.	2W
Частота - переход	50MHz
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка / чехол	TO-261-4, TO-261AA
Пакет устройств поставщика	SOT-223
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
FZT1047A	KEXIN	NPN Silicon Planar Medium Power High Gain Transistor	подробности
FZT1047ATA	Diodes Incorporated	TRANS NPN 10V 5A SOT-223	подробности
FZT1047ATC	Diodes Incorporated	TRANS NPN 10V 5A SOT223	подробности
FZT1048A	KEXIN	NPN Silicon Planar Medium Power High Gain Transistor	подробности
FZT1048ATA	Diodes Incorporated	TRANS NPN 17.5V 5A SOT-223	подробности
FZT1048ATC	Diodes Incorporated	TRANS NPN 17.5V 5A SOT223	подробности
FZT1049A	KEXIN	NPN Silicon Planar Medium Power High Gain Transistor	подробности
FZT1049ATA	Diodes Incorporated	TRANS NPN 25V 5A SOT-223	подробности
FZT1049ATC	Diodes Incorporated	TRANS NPN 25V 5A SOT223	подробности
FZT1051A	KEXIN	NPN Silicon Planar Medium Power High Gain Transistor	подробности