| номер части | DMTH6004SPS-13 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 60V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 25A (Ta), 100A (Tc) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 95.4nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 4556pF @ 30V |
| Vgs (Макс.) | ±20V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.1W (Ta), 167W (Tc) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 3.1 mOhm @ 50A, 10V |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | PowerDI5060-8 |
| Упаковка / чехол | 8-PowerTDFN |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
DMTH6002LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 100A POWERDI5060 | подробности |
|
DMTH6004LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 22A PWRDI5060-8 | подробности |
 |
DMTH6004LPSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI506 | подробности |
 |
DMTH6004SCT | Diodes Incorporated | MOSFET 60V 100A TO220-3 | подробности |
 |
DMTH6004SCTB-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH | подробности |
|
DMTH6004SCTBQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 100A TO263 | подробности |
 |
DMTH6004SK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CHA 60V 100A DPAK | подробности |
|
DMTH6004SK3Q-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 60V 100A TO252 | подробности |
|
DMTH6004SPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 25A PWRDI5060-8 | подробности |
|
DMTH6004SPSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8 | подробности |
