DMN95H8D5HCT

DMN95H8D5HCT - Diodes Incorporated

номер части
DMN95H8D5HCT
производитель
Diodes Incorporated
Краткое описание
MOSFET BVDSS: >800V TO220AB
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
DMN95H8D5HCT Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
-
категория
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
22955 pcs
Справочная цена
USD 1.1592/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку DMN95H8D5HCT

DMN95H8D5HCT Подробное описание

номер части DMN95H8D5HCT
Статус детали Active
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 950V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 2.5A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 7.9nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 470pF @ 25V
Vgs (Макс.) ±30V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 125W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 7 Ohm @ 1A, 10V
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Through Hole
Пакет устройств поставщика TO-220AB
Упаковка / чехол TO-220-3
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ DMN95H8D5HCT