DMN65D8LFB-7B - Diodes Incorporated

номер части	DMN65D8LFB-7B
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	60V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	260mA (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	-
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	25pF @ 25V
Vgs (Макс.)	±20V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	430mW (Ta)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	3 Ohm @ 115mA, 10V
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	X1-DFN1006-3
Упаковка / чехол	3-UFDFN
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
DMN65D8L-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23	подробности
DMN65D8LDW-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363	подробности
DMN65D8LDWQ-13	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 60V 180MA SOT363	подробности
DMN65D8LDWQ-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 60V 180MA SOT363	подробности
DMN65D8LFB-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN	подробности
DMN65D8LFB-7B	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN	подробности
DMN65D8LQ-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 60V SOT23	подробности
DMN65D8LQ-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 60V SOT23	подробности
DMN65D8LW-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT323	подробности