DMN33D8LT-13 - Diodes Incorporated

номер части	DMN33D8LT-13
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	30V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	115mA (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	2.5V, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 100µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	0.55nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	48pF @ 5V
Vgs (Макс.)	±20V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	240mW (Ta)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	5 Ohm @ 10mA, 4V
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	SOT-523
Упаковка / чехол	SOT-523
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
DMN3005LK3	DIODES	DMN3005LK3 DIODES TO252-.. New Original Stocks	подробности
DMN3005LK3-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 14.5A TO252-3L	подробности
DMN3007LSS-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC	подробности
DMN3007LSSQ-13	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 25V 30V SO-8	подробности
DMN3008SCP10-7	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 25V 30V X4-DSN3415	подробности
DMN3008SFG-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 17.6A POWERDI	подробности
DMN3008SFG-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 17.6A POWERDI	подробности
DMN3008SFGQ-13	Diodes Incorporated	MOSFET NCH 30V 17.6A POWERDI	подробности
DMN3008SFGQ-7	Diodes Incorporated	MOSFET NCH 30V 17.6A POWERDI	подробности
DMN3009LFV-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333	подробности