DMN2990UFA-7B - Diodes Incorporated

номер части	DMN2990UFA-7B
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	20V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	510mA (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	1.2V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	0.5nC @ 4.5V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	27.6pF @ 16V
Vgs (Макс.)	±8V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	400mW (Ta)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	990 mOhm @ 100mA, 4.5V
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	3-X2-DFN0806
Упаковка / чехол	3-XFDFN
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
DMN2990UDJ-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 20V 0.45A SOT-963	подробности
DMN2990UDJQ-7	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT963	подробности
DMN2990UFA-7B	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 20V 0.51A	подробности
DMN2990UFB-7B	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS 8V-24V X1-DFN1006-	подробности
DMN2990UFO-7B	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 20V 750MA X2DFN0604	подробности
DMN2990UFZ-7B	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 20V .25A X2-DFN0606	подробности