DMN2019UTS-13 - Diodes Incorporated

номер части	DMN2019UTS-13
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual) Common Drain
Функция FET	Logic Level Gate
Слив к источнику напряжения (Vdss)	20V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	5.4A
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	18.5 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	950mV @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	8.8nC @ 4.5V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	143pF @ 10V
Мощность - макс.	780mW
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка / чехол	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Пакет устройств поставщика	8-TSSOP
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
DMN2004DMK	DIODES	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR	подробности
DMN2004DMK-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26	подробности
DMN2004DWK	DIODES	DMN2004DWK DIODES SOT363 New Original Stocks	подробности
DMN2004DWK-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-363	подробности
DMN2004DWKQ-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2NCH 20V 540MA SOT363	подробности
DMN2004K	DIODES	DMN2004K DIODES SOT23 New Original Stocks	подробности
DMN2004K-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 20V 0.63A SOT23-3	подробности
DMN2004K-7-F	DIODESINCORPORATED	DMN2004K-7-F DIODESINCORPORATED SOT 23 New Original Stocks	подробности
DMN2004TK-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 20V 0.54A SOT-523	подробности
DMN2004VK	DIODES	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR	подробности