DMN10H120SFG-13

DMN10H120SFG-13 - Diodes Incorporated

номер части
DMN10H120SFG-13
производитель
Diodes Incorporated
Краткое описание
MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
DMN10H120SFG-13 Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
-
категория
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
15000 pcs
Справочная цена
USD 0.271/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку DMN10H120SFG-13

DMN10H120SFG-13 Подробное описание

номер части DMN10H120SFG-13
Статус детали Active
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 100V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 3.8A (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 10.6nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 549pF @ 50V
Vgs (Макс.) ±20V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 1W (Ta)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 110 mOhm @ 3.3A, 10V
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика PowerDI3333-8
Упаковка / чехол 8-PowerWDFN
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ DMN10H120SFG-13