| номер части | DMN1032UCB4-7 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 12V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 4.8A (Ta) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 1.8V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 4.5nC @ 4.5V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 450pF @ 6V |
| Vgs (Макс.) | ±8V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 900mW (Ta) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 26 mOhm @ 1A, 4.5V |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | U-WLB1010-4 |
| Упаковка / чехол | 4-UFBGA, WLBGA |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
DMN100 | DIODES | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR | подробности |
|
DMN100-7 | DIODES | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR | подробности |
 |
DMN100-7-F | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3 | подробности |
 |
DMN1002UCA6-7 | Diodes Incorporated | MOSFETN-CHAN 12V X4-DSN3118-6 | подробности |
 |
DMN1003UCA6-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN3518-6 | подробности |
 |
DMN1004UFDF-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 12V 15A UDFN2020-6 | подробности |
|
DMN1004UFDF-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 12V 15A UDFN2020-6 | подробности |
|
DMN1004UFV-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 8V 24V POWERDI3333 | подробности |
|
DMN1004UFV-7 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 8V 24V POWERDI3333 | подробности |
 |
DMN1006UCA6-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN2718-6 | подробности |
