DMN1029UFDB-7 - Diodes Incorporated

номер части	DMN1029UFDB-7
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Функция FET	Standard
Слив к источнику напряжения (Vdss)	12V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	5.6A
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	29 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	19.6nC @ 8V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	914pF @ 6V
Мощность - макс.	1.4W
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка / чехол	6-UDFN Exposed Pad
Пакет устройств поставщика	U-DFN2020-6 (Type B)
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
DMN100	DIODES	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR	подробности
DMN100-7	DIODES	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR	подробности
DMN100-7-F	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3	подробности
DMN1002UCA6-7	Diodes Incorporated	MOSFETN-CHAN 12V X4-DSN3118-6	подробности
DMN1003UCA6-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN3518-6	подробности
DMN1004UFDF-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 12V 15A UDFN2020-6	подробности
DMN1004UFDF-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 12V 15A UDFN2020-6	подробности
DMN1004UFV-13	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 8V 24V POWERDI3333	подробности
DMN1004UFV-7	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 8V 24V POWERDI3333	подробности
DMN1006UCA6-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN2718-6	подробности