DMG9N65CT

DMG9N65CT - Diodes Incorporated

номер части
DMG9N65CT
производитель
Diodes Incorporated
Краткое описание
MOSFET N-CH 650V 9A TO220AB
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
DMG9N65CT Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
-
категория
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
357 pcs
Справочная цена
USD 1.5/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку DMG9N65CT

DMG9N65CT Подробное описание

номер части DMG9N65CT
Статус детали Active
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 650V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 9A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 39nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 2310pF @ 25V
Vgs (Макс.) ±30V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 165W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 1.3 Ohm @ 4.5A, 10V
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Through Hole
Пакет устройств поставщика TO-220AB
Упаковка / чехол TO-220-3
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ DMG9N65CT