BS170P - Diodes Incorporated

номер части	BS170P
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	60V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	270mA (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	-
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	60pF @ 10V
Vgs (Макс.)	±20V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	625mW (Ta)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	5 Ohm @ 200mA, 10V
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Пакет устройств поставщика	TO-92-3
Упаковка / чехол	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
BS	SEMTECH	SILICON PLANAR ZENER DIODE	подробности
BS-1	Omron Automation and Safety	ELECTRODE HOLDER HI TEMP/PRESS	подробности
BS-100.000MBB-T	TXC CORPORATION	OSC SO 100.000MHZ LVPECL SMD	подробности
BS-100.000MBC-T	TXC CORPORATION	OSC SO 100.000MHZ LVPECL SMD	подробности
BS-100.000MCB-T	TXC CORPORATION	OSC SO 100.000MHZ LVPECL SMD	подробности
BS-100.000MCC-T	TXC CORPORATION	OSC SO 100.000MHZ LVPECL SMD	подробности
BS-106.250MBC-T	TXC CORPORATION	OSC SO 106.25MHZ LVPECL SMD	подробности
BS-106.250MCC-T	TXC CORPORATION	OSC SO 106.25MHZ LVPECL SMD	подробности
BS-125.000MBC-T	TXC CORPORATION	OSC SO 125.000MHZ LVPECL SMD	подробности
BS-125.000MCC-T	TXC CORPORATION	OSC SO 125.000MHZ LVPECL SMD	подробности