| номер части | BAV23A-7-F |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Конфигурация диода | 1 Pair Common Anode |
| Тип диода | Standard |
| Напряжение - Реверс постоянного тока (Vr) (макс.) | 200V |
| Текущий - средний отрегулированный (Io) (на диод) | 400mA (DC) |
| Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если | 1.25V @ 200mA |
| скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Время обратного восстановления (trr) | 50ns |
| Текущий - обратный утечек @ Vr | 100nA @ 200V |
| Рабочая температура - Соединение | -65°C ~ 150°C |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка / чехол | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Пакет устройств поставщика | SOT-23-3 |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
BAV20 | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 200V 200MA DO35 | подробности |
 |
BAV20 A0G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 150V 200MA DO35 | подробности |
 |
BAV20,113 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 150V 250MA ALF2 | подробности |
|
BAV20,133 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 150V 250MA ALF2 | подробности |
|
BAV20,143 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 150V 250MA ALF2 | подробности |
 |
BAV20-TAP | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 150V 250MA DO35 | подробности |
|
BAV20-TR | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 150V 250MA DO35 | подробности |
 |
BAV200 | VISHAY | Silicon Epitaxial Planar Diodes | подробности |
 |
BAV200-GS08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 250MA SOD80 | подробности |
|
BAV200-GS18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 250MA SOD80 | подробности |
