CY14V101LA-BA25XI - Cypress Semiconductor Corp

номер части	CY14V101LA-BA25XI
Статус детали	Active
Тип памяти	Non-Volatile
Формат памяти	NVSRAM
Технологии	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Размер памяти	1Mb (128K x 8)
Частота часов	-
Время цикла записи - слово, страница	25ns
Время доступа	25ns
Интерфейс памяти	Parallel
Напряжение - Поставка	2.7 V ~ 3.6 V
Рабочая Температура	-40°C ~ 85°C (TA)
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка / чехол	48-TFBGA
Пакет устройств поставщика	48-FBGA (6x10)
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
CY14V101LA-BA25XI	Cypress Semiconductor Corp	IC NVSRAM 1MBIT 25NS 48FBGA	подробности
CY14V101LA-BA25XIT	Cypress Semiconductor Corp	IC NVSRAM 1MBIT 25NS 48FBGA	подробности
CY14V101LA-BA45XI	Cypress Semiconductor Corp	IC NVSRAM 1MBIT 45NS 48FBGA	подробности
CY14V101LA-BA45XIT	Cypress Semiconductor Corp	IC NVSRAM 1MBIT 45NS 48FBGA	подробности
CY14V101NA-BA25XI	Cypress Semiconductor Corp	IC NVSRAM 1MBIT 25NS 48FBGA	подробности
CY14V101NA-BA25XIT	Cypress Semiconductor Corp	IC NVSRAM 1MBIT 25NS 48FBGA	подробности
CY14V101NA-BA45XI	Cypress Semiconductor Corp	IC NVSRAM 1MBIT 45NS 48FBGA	подробности
CY14V101NA-BA45XIT	Cypress Semiconductor Corp	IC NVSRAM 1MBIT 45NS 48FBGA	подробности
CY14V101PS-SF108XI	Cypress Semiconductor Corp	IC NVSRAM 1MBIT 108MHZ 16SOIC	подробности
CY14V101PS-SF108XIT	Cypress Semiconductor Corp	NON VOLATILE SRAMS	подробности