D103F621JO3F - Cornell Dubilier Electronics (CDE)

номер части	D103F621JO3F
Статус детали	Active
емкость	620pF
Толерантность	±5%
Напряжение - Номинальное напряжение	300V
Диэлектрический материал	Mica
Рабочая Температура	-55°C ~ 125°C
Тип монтажа	Through Hole
Упаковка / чехол	Radial
Межстрочный интервал	0.142" (3.60mm)
Особенности	General Purpose
Размер / размер	0.390" L x 0.220" W (9.90mm x 5.60mm)
Высота - сидя (макс.)	0.382" (9.70mm)
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
D103	MPD	Single & Dual Output Miniature, 1W SIP DC/DC Converters	подробности
D1030N22TPRXOSA1	Infineon Technologies	DIODE BG-D5726K-1	подробности
D1030N22TXPSA1	Infineon Technologies	DIODE GEN PURP 2.2KV 1030A	подробности
D1030N24TXPSA1	Infineon Technologies	DIODE GEN PURP 2.4KV 1030A	подробности
D1030N26TXPSA1	Infineon Technologies	DIODE GEN PURP 2.6KV 1030A	подробности
D1030UK	SEME-LAB	GOLD METALLISED MULTI-PURPOSE SILICON DMOS RF FET 400W ? 28V ? 175MHz PUSH?PULL	подробности
D1031	SEME-LAB	METAL GATE RF SILICON FET	подробности
D1031SH45TXPSA1	Infineon Technologies	DIODE GEN PURP 4.5KV 1450A	подробности
D1031UK	SEME-LAB	METAL GATE RF SILICON FET	подробности
D1034UK	SEME-LAB	METAL GATE RF SILICON FET(GOLD METALLISED MULTI-PURPOSE SILICON DMOS RF FET 80W - 28V - 500MHz PUSH-PULL)	подробности